“ 如何判断IGBT模块是否失效，是硬件工程师和现场支持工程师经常面临的一个问题。数字万用表是常用设备，用万用表来准确的判断IGBT好坏对故障分析大有裨益。”

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GE短接，黑表笔接C极，红表笔接E极。万用表显示二极管正向压降值正确；

GE短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。正向压降为100KΩ级以上；

CG短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。正向压降为几十Ω级以下；

测量GE两端电容大小。有几十nF的电容值；

   二极管的测量可以比较准确的判断其好坏。IGBT测试其正向压降就可以判断其好坏。

目前常用的数字万用表，而且在高电阻档测量的时候测量电压一般是9V，可以开启IGBT，因此可以测量得到IGBT开启时的等效电阻，这个时候电阻值是非常小的了。这一步重要的是可以明确判断门极可以控制CE之间的等效电阻，有两种电阻值。所谓的半导体就是指具有高电阻和低电阻两种状态么。

 我认为忽略第二步直接测量门极电容是一种便捷准确的方法，绝大部分的IGBT模块失效模式下，内部IGBT晶元门极结构都会遭到破坏。无论是短路还是开路，是都测量不到有效的电容值的。只有在IGBT良好的情况下才能测量到有效的几十nF的电容值。

注意：测量的时候，尽量让GE处于短接状态。防止操作不注意碰到门极引起门极击穿损坏，

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